Ina Ostermay
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)
-
12.4 Iridium Plug Technology for AlGaN/GaN HEMT Short-Gate Fabrication
Konstantin Osipov, Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)Richard Lossy, Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH),Paul Kurpas, Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH),Sergey Chevtchenko, Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)Ina Ostermay, Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) -
3.3 Novel approach for ED transistors integration in GaN HEMT technology
Konstantin Y Osipov, Ampleon Netherlands B.V.Ina Ostermay, Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)Frank Brunner, Ferdinand-Braun-Institut, Berlin, Germany -
10.3.2023 Optimization of Iridium RF-Sputter Process for AlGaN/GaN-based HEMT Gate Technology
Ina Ostermay, Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)Sten Seifert, Ferdinand-Braun-Institut (FBH)Olaf Krueger, Ferdinand-Braun-Institut (FBH) -
5.3.2021 Analysis of GaN-HEMT DC-Characteristic Alterations by Gate Encapsulation Layer
Hossein Yazdani, Ferdinand-Braun-Institut,Serguei Chevtchenko, Ferdinand-Braun-Institut,Joachim Würfl, Ferdinand-Braun-InstitutDownload PaperLoading...
-
BCB Encapsulation for High Power AlGaN/GaN-HFET Technology
P. Kurpas, Ferdinand-Braun-InstitutO. Bengtsson, Ferdinand-Braun-InstitutS. A. Chevtchenko, Ferdinand-Braun-InstitutR. Zhytnytska, Ferdinand-Braun-InstitutW. HeinrichJ. Würfl, Ferdinand-Braun-Institut