3.3 Novel approach for ED transistors integration in GaN HEMT technology

Konstantin Y Osipov, Ampleon Netherlands B.V.
Ina Ostermay, Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)
Frank Brunner, Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)
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