P. T. John

AIXTRON SE

  • 2.2.3.2024 Depleted AlN/Si interfaces for minimizing RF loss in GaN-on-Si HEMTs

    H. Hahn, AIXTRON SE
    C. Mauder, AIXTRON SE
    M. Marx, AIXTRON SE
    Z. Gao, AIXTRON SE
    P. Lauffer, AIXTRON SE
    O. Schon, AIXTRON SE
    P. T. John, AIXTRON SE
    S. Banerjee, imec
    P. Cardinael, Imec and Université catholique de Louvain
    J. P. Raskin, Université catholique de Louvain
    B. Parvais, imec & Vrije Universiteit Brussels
    lin, imec
    D. Fahle, AIXTRON SE
    Loader Loading...
    EAD Logo Taking too long?

    Reload Reload document
    | Open Open in new tab

    Download [0.97 MB]